| 型號 : |
EPC2110 |
| 廠家/品牌 : |
EPC |
| 描述 : |
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
| RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
| 可用庫存 |
28253 pcs |
| 數據庫 |
EPC2110.pdf |
| VGS（TH）（最大）@標識 |
2.5V @ 700µA |
| 供應商設備封裝 |
Die |
| 系列 |
eGaN® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 |
60 mOhm @ 4A, 5V |
| 功率 - 最大 |
- |
| 封装 |
Cut Tape (CT) |
| 封裝/箱體 |
Die |
| 其他名稱 |
917-1152-1 |
| 工作溫度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| 濕度敏感度等級（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期 |
14 Weeks |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds |
80pF @ 60V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs |
0.8nC @ 5V |
| FET型 |
2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET特點 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） |
120V |
| 詳細說明 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die |
| 電流 - 25°C連續排水（Id） |
3.4A |
EPC
