型號 : |
EPC2107ENGRT |
廠家/品牌 : |
EPC |
描述 : |
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
可用庫存 |
33224 pcs |
數據庫 |
EPC2107ENGRT.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 |
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
供應商設備封裝 |
9-BGA (1.35x1.35) |
系列 |
eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 |
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
功率 - 最大 |
- |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 |
9-VFBGA |
其他名稱 |
917-EPC2107ENGRTR |
工作溫度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 |
Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) |
1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds |
16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs |
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
FET型 |
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET特點 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
漏極至源極電壓(Vdss) |
100V |
詳細說明 |
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
電流 - 25°C連續排水(Id) |
1.7A, 500mA |