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EPC2107ENGRT

型號 : EPC2107ENGRT
廠家/品牌 : EPC
描述 : TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
RoHs狀態 : 無鉛/符合RoHS
可用庫存 33224 pcs
數據庫 EPC2107ENGRT.pdf
VGS(TH)(最大)@標識 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
供應商設備封裝 9-BGA (1.35x1.35)
系列 eGaN®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
功率 - 最大 -
封装 Tape & Reel (TR)
封裝/箱體 9-VFBGA
其他名稱 917-EPC2107ENGRTR
工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL) 1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態 Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FET型 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET特點 GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss) 100V
詳細說明 Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
電流 - 25°C連續排水(Id) 1.7A, 500mA
EPC2107ENGRT
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