型號 : |
ZXMN3G32DN8TA |
廠家/品牌 : |
Diodes Incorporated |
描述 : |
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
可用庫存 |
57007 pcs |
數據庫 |
ZXMN3G32DN8TA.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 |
3V @ 250µA |
供應商設備封裝 |
8-SO |
系列 |
- |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 |
28 mOhm @ 6A, 10V |
功率 - 最大 |
1.8W |
封装 |
Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱 |
1034-ZXMN3G32DN8CT |
工作溫度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 |
Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) |
1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 |
26 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds |
472pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs |
10.5nC @ 10V |
FET型 |
2 N-Channel (Dual) |
FET特點 |
Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) |
30V |
詳細說明 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id) |
5.5A |