型號 : | STU6N60M2 |
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廠家/品牌 : | STMicroelectronics |
描述 : | MOSFET N-CH 600V IPAK |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 51444 pcs |
數據庫 | STU6N60M2.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | I-PAK |
系列 | MDmesh™ II Plus |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V |
功率耗散(最大) | 60W (Tc) |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
其他名稱 | 497-13978-5 STU6N60M2-ND |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 232pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 13.5nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 600V |
詳細說明 | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 4.5A (Tc) |