型號 : | STD80N6F6 |
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廠家/品牌 : | STMicroelectronics |
描述 : | MOSFET N-CH 60V DPAK |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 38586 pcs |
數據庫 | STD80N6F6.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | DPAK |
系列 | DeepGATE™, STripFET™ VI |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
功率耗散(最大) | 120W (Tc) |
封装 | Original-Reel® |
封裝/箱體 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱 | 497-13942-6 |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 7480pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 122nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 60V |
詳細說明 | N-Channel 60V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 80A (Tc) |