型號 : |
SIHP28N65E-GE3 |
廠家/品牌 : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
描述 : |
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB |
RoHs狀態 : |
|
可用庫存 |
10695 pcs |
數據庫 |
SIHP28N65E-GE3.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 |
4V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±30V |
技術 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 |
TO-220AB |
系列 |
- |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 |
112 mOhm @ 14A, 10V |
功率耗散(最大) |
250W (Tc) |
封装 |
Tube |
封裝/箱體 |
TO-220-3 |
工作溫度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 |
Through Hole |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds |
3405pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs |
140nC @ 10V |
FET型 |
N-Channel |
FET特點 |
- |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) |
10V |
漏極至源極電壓(Vdss) |
650V |
詳細說明 |
N-Channel 650V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB |
電流 - 25°C連續排水(Id) |
29A (Tc) |