型號 : | SI8261BCC-C-IS |
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廠家/品牌 : | Energy Micro (Silicon Labs) |
描述 : | DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 25263 pcs |
數據庫 | SI8261BCC-C-IS.pdf |
電壓 - 電源 | 13.5 V ~ 30 V |
電壓 - 隔離 | 3750Vrms |
電壓 - 正向(Vf)(典型值) | 2.8V (Max) |
技術 | Capacitive Coupling |
供應商設備封裝 | 8-SOIC |
系列 | Automotive, AEC-Q100 |
上升/下降時間(典型值) | 5.5ns, 8.5ns |
脈衝寬度失真(Max) | 28ns |
傳播延遲tpLH / tpHL(最大) | 60ns, 50ns |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱 | 336-2420-5 |
工作溫度 | -40°C ~ 125°C |
通道數 | 1 |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 3 (168 Hours) |
製造商標準交貨期 | 6 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明 | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC |
電流 - 峰值輸出 | 4A |
電流 - 輸出高,低 | 500mA, 1.2A |
電流 - 直流正向(If)(最大) | 30mA |
共模瞬態抗擾度(Min) | 35kV/µs |
認證 | CQC, CSA, UR, VDE |