型號 : |
SI7860ADP-T1-GE3 |
廠家/品牌 : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
描述 : |
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
可用庫存 |
5133 pcs |
數據庫 |
SI7860ADP-T1-GE3.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 |
3V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±20V |
技術 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 |
PowerPAK® SO-8 |
系列 |
TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 |
9.5 mOhm @ 16A, 10V |
功率耗散(最大) |
1.8W (Ta) |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 |
PowerPAK® SO-8 |
工作溫度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 |
Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) |
1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs |
18nC @ 4.5V |
FET型 |
N-Channel |
FET特點 |
- |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) |
4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) |
30V |
詳細說明 |
N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
電流 - 25°C連續排水(Id) |
11A (Ta) |