型號 : |
SI5920DC-T1-GE3 |
廠家/品牌 : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
描述 : |
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
可用庫存 |
4349 pcs |
數據庫 |
SI5920DC-T1-GE3.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 |
1V @ 250µA |
供應商設備封裝 |
1206-8 ChipFET™ |
系列 |
TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 |
32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
功率 - 最大 |
3.12W |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 |
8-SMD, Flat Lead |
其他名稱 |
SI5920DC-T1-GE3TR |
工作溫度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 |
Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) |
1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds |
680pF @ 4V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs |
12nC @ 5V |
FET型 |
2 N-Channel (Dual) |
FET特點 |
Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) |
8V |
詳細說明 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
電流 - 25°C連續排水(Id) |
4A |
基礎部件號 |
SI5920 |