型號 : | SI5513CDC-T1-GE3 |
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廠家/品牌 : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
描述 : | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 144369 pcs |
數據庫 | SI5513CDC-T1-GE3.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 | 1.5V @ 250µA |
供應商設備封裝 | 1206-8 ChipFET™ |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
功率 - 最大 | 3.1W |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 8-SMD, Flat Lead |
其他名稱 | SI5513CDC-T1-GE3TR SI5513CDCT1GE3 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 285pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 4.2nC @ 5V |
FET型 | N and P-Channel |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
詳細說明 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 4A, 3.7A |
基礎部件號 | SI5513 |