| 型號 : |
SCT3120ALGC11 |
| 廠家/品牌 : |
LAPIS Semiconductor |
| 描述 : |
MOSFET NCH 650V 21A TO247N |
| RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
| 可用庫存 |
5101 pcs |
| 數據庫 |
1.SCT3120ALGC11.pdf2.SCT3120ALGC11.pdf |
| VGS（TH）（最大）@標識 |
5.6V @ 3.33mA |
| Vgs（最大） |
+22V, -4V |
| 技術 |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| 供應商設備封裝 |
TO-247N |
| 系列 |
- |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 |
156 mOhm @ 6.7A, 18V |
| 功率耗散（最大） |
103W (Tc) |
| 封装 |
Tube |
| 封裝/箱體 |
TO-247-3 |
| 工作溫度 |
175°C (TJ) |
| 安裝類型 |
Through Hole |
| 濕度敏感度等級（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds |
460pF @ 500V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs |
38nC @ 18V |
| FET型 |
N-Channel |
| FET特點 |
- |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） |
18V |
| 漏極至源極電壓（Vdss） |
650V |
| 詳細說明 |
N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N |
| 電流 - 25°C連續排水（Id） |
21A (Tc) |
LAPIS Semiconductor
