型號 : | RN2318(TE85L,F) |
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廠家/品牌 : | Toshiba Semiconductor and Storage |
描述 : | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 1306212 pcs |
數據庫 | RN2318(TE85L,F).pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
晶體管類型 | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝 | USM |
系列 | - |
電阻器 - 發射器底座(R2) | 10 kOhms |
電阻器 - 基座(R1) | 47 kOhms |
功率 - 最大 | 100mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | SC-70, SOT-323 |
其他名稱 | RN2318(TE85LF) RN2318(TE85LF)-ND RN2318(TE85LF)TR RN2318TE85LF |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 16 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 200MHz |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 50 @ 10mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大) | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 100mA |
基礎部件號 | RN231* |