型號 : | RN2115MFV,L3F |
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廠家/品牌 : | Toshiba Semiconductor and Storage |
描述 : | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 999976 pcs |
數據庫 | RN2115MFV,L3F.pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 500µA, 5mA |
晶體管類型 | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝 | VESM |
系列 | - |
電阻器 - 發射器底座(R2) | 10 kOhms |
電阻器 - 基座(R1) | 2.2 kOhms |
功率 - 最大 | 150mW |
封裝/箱體 | SOT-723 |
其他名稱 | RN2115MFVL3F |
安裝類型 | Surface Mount |
製造商標準交貨期 | 16 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 50 @ 10mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大) | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 100mA |