型號 : |
RN1963(TE85L,F) |
廠家/品牌 : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
描述 : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
可用庫存 |
400744 pcs |
數據庫 |
RN1963(TE85L,F).pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) |
50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC |
300mV @ 250µA, 5mA |
晶體管類型 |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝 |
US6 |
系列 |
- |
電阻器 - 發射器底座(R2) |
22 kOhms |
電阻器 - 基座(R1) |
22 kOhms |
功率 - 最大 |
200mW |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名稱 |
RN1963(TE85LF)TR |
安裝類型 |
Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) |
1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 |
250MHz |
詳細說明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce |
70 @ 10mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大) |
100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) |
100mA |