型號 : | RN1910,LF(CT |
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廠家/品牌 : | Toshiba Semiconductor and Storage |
描述 : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 646379 pcs |
數據庫 | RN1910,LF(CT.pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
晶體管類型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝 | US6 |
系列 | - |
電阻器 - 發射器底座(R2) | - |
電阻器 - 基座(R1) | 4.7 kOhms |
功率 - 最大 | 100mW |
封装 | Original-Reel® |
封裝/箱體 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名稱 | RN1910(T5LFT)DKR RN1910(T5LFT)DKR-ND RN1910LF(CTDKR |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 10 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 250MHz |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 120 @ 1mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 100mA |