| 型號 : |
RN1609(TE85L,F) |
| 廠家/品牌 : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
| RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
| 可用庫存 |
304384 pcs |
| 數據庫 |
RN1609(TE85L,F).pdf |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） |
50V |
| Vce飽和（最大）@ IB，IC |
300mV @ 250µA, 5mA |
| 晶體管類型 |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 供應商設備封裝 |
SM6 |
| 系列 |
- |
| 電阻器 - 發射器底座（R2） |
22 kOhms |
| 電阻器 - 基座（R1） |
47 kOhms |
| 功率 - 最大 |
300mW |
| 封装 |
Cut Tape (CT) |
| 封裝/箱體 |
SC-74, SOT-457 |
| 其他名稱 |
RN1609(TE85LF)CT |
| 安裝類型 |
Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 頻率 - 轉換 |
250MHz |
| 詳細說明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| 直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce |
70 @ 10mA, 5V |
| 電流 - 集電極截止（最大） |
100nA (ICBO) |
| 電流 - 集電極（Ic）（最大） |
100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
