| 型號 : |
RGT8BM65DTL |
| 廠家/品牌 : |
LAPIS Semiconductor |
| 描述 : |
IGBT 650V 8A 62W TO-252 |
| RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
| 可用庫存 |
42198 pcs |
| 數據庫 |
1.RGT8BM65DTL.pdf2.RGT8BM65DTL.pdf |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） |
650V |
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC |
2.1V @ 15V, 4A |
| 測試條件 |
400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
| Td（開/關）@ 25°C |
17ns/69ns |
| 開關能量 |
- |
| 供應商設備封裝 |
TO-252 |
| 系列 |
- |
| 反向恢復時間（trr） |
40ns |
| 功率 - 最大 |
62W |
| 封装 |
Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 其他名稱 |
RGT8BM65DTLTR |
| 工作溫度 |
-40°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 |
Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期 |
15 Weeks |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入類型 |
Standard |
| IGBT類型 |
Trench Field Stop |
| 柵極電荷 |
13.5nC |
| 詳細說明 |
IGBT Trench Field Stop 650V 8A 62W Surface Mount TO-252 |
| 電流 - 集電極脈衝（ICM） |
12A |
| 電流 - 集電極（Ic）（最大） |
8A |
LAPIS Semiconductor
