型號 : | NTQS6463R2 |
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廠家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP |
RoHs狀態 : | 包含鉛/ RoHS不兼容 |
可用庫存 | 4768 pcs |
數據庫 | NTQS6463R2.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 | 900mV @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | 8-TSSOP |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 20 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 930mW (Ta) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
其他名稱 | NTQS6463R2OS |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Contains lead / RoHS non-compliant |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 50nC @ 5V |
FET型 | P-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 2.5V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
詳細說明 | P-Channel 20V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 6.8A (Ta) |