| 型號 : |
NSBC114YPDXV6T1 |
| 廠家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 : |
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| RoHs狀態 : |
包含鉛/ RoHS不兼容 |
| 可用庫存 |
5490 pcs |
| 數據庫 |
NSBC114YPDXV6T1.pdf |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） |
50V |
| Vce飽和（最大）@ IB，IC |
250mV @ 300µA, 10mA |
| 晶體管類型 |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 供應商設備封裝 |
SOT-563 |
| 系列 |
- |
| 電阻器 - 發射器底座（R2） |
47 kOhms |
| 電阻器 - 基座（R1） |
10 kOhms |
| 功率 - 最大 |
500mW |
| 封装 |
Cut Tape (CT) |
| 封裝/箱體 |
SOT-563, SOT-666 |
| 其他名稱 |
NSBC114YPDXV6OSCT |
| 安裝類型 |
Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| 頻率 - 轉換 |
- |
| 詳細說明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| 直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce |
80 @ 5mA, 10V |
| 電流 - 集電極截止（最大） |
500nA |
| 電流 - 集電極（Ic）（最大） |
100mA |
| 基礎部件號 |
NSBC1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
