型號 : |
NSBA115TF3T5G |
廠家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : |
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 |
RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
可用庫存 |
312859 pcs |
數據庫 |
NSBA115TF3T5G.pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) |
50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC |
250mV @ 300µA, 10mA |
晶體管類型 |
PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝 |
SOT-1123 |
系列 |
- |
電阻器 - 基座(R1) |
100 kOhms |
功率 - 最大 |
254mW |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 |
SOT-1123 |
安裝類型 |
Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) |
1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 |
13 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce |
160 @ 5mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大) |
500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) |
100mA |
基礎部件號 |
NSBA1* |