型號 : |
MUN5213DW1T1G |
廠家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
可用庫存 |
1241441 pcs |
數據庫 |
MUN5213DW1T1G.pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) |
50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC |
250mV @ 300µA, 10mA |
晶體管類型 |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝 |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
系列 |
- |
電阻器 - 發射器底座(R2) |
47 kOhms |
電阻器 - 基座(R1) |
47 kOhms |
功率 - 最大 |
250mW |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名稱 |
MUN5213DW1T1GOSTR |
安裝類型 |
Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) |
1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 |
40 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 |
- |
詳細說明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce |
80 @ 5mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大) |
500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) |
100mA |
基礎部件號 |
MUN52**DW1T |