型號 : | MUN5113DW1T1G |
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廠家/品牌 : | ON Semiconductor |
描述 : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 1001518 pcs |
數據庫 | MUN5113DW1T1G.pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 100mA |
電壓 - 擊穿 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Vce飽和(最大)@ IB,IC | 50V |
系列 | - |
RoHS狀態 | Tape & Reel (TR) |
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆) | 47k |
電阻 - 基(R 1)(歐姆) | - |
功率 - 最大 | 250mW |
極化 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名稱 | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
噪聲係數(dB典型值@頻率) | 47k |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 10 Weeks |
製造商零件編號 | MUN5113DW1T1G |
頻率 - 轉換 | 80 @ 5mA, 10V |
展開說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 500nA |
電流 - 集電極截止(最大) | 250mV @ 300µA, 10mA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |