型號 : |
IS61NVP51236B-200B3LI |
廠家/品牌 : |
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
描述 : |
IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
可用庫存 |
2598 pcs |
數據庫 |
IS61NVP51236B-200B3LI.pdf |
寫週期時間 - 字,頁 |
- |
電壓 - 電源 |
2.375 V ~ 2.625 V |
技術 |
SRAM - Synchronous |
供應商設備封裝 |
165-TFBGA (13x15) |
系列 |
- |
封装 |
Tray |
封裝/箱體 |
165-TBGA |
工作溫度 |
-40°C ~ 85°C (TA) |
安裝類型 |
Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) |
3 (168 Hours) |
內存類型 |
Volatile |
內存大小 |
18Mb (512K x 36) |
內存接口 |
Parallel |
內存格式 |
SRAM |
無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明 |
SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-TFBGA (13x15) |
時鐘頻率 |
200MHz |
訪問時間 |
3ns |