| 型號 : | HGTD3N60C3S9A |
|---|---|
| 廠家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 : | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
| RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
| 可用庫存 | 4591 pcs |
| 數據庫 | HGTD3N60C3S9A.pdf |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） | 600V |
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC | 2V @ 15V, 3A |
| 測試條件 | 480V, 3A, 82 Ohm, 15V |
| Td（開/關）@ 25°C | - |
| 開關能量 | 85µJ (on), 245µJ (off) |
| 供應商設備封裝 | TO-252AA |
| 系列 | - |
| 功率 - 最大 | 33W |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入類型 | Standard |
| IGBT類型 | - |
| 柵極電荷 | 10.8nC |
| 詳細說明 | IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA |
| 電流 - 集電極脈衝（ICM） | 24A |
| 電流 - 集電極（Ic）（最大） | 6A |
