型號 : | GT10J312(Q) |
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廠家/品牌 : | Toshiba Semiconductor and Storage |
描述 : | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 5198 pcs |
數據庫 | GT10J312(Q).pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 600V |
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC | 2.7V @ 15V, 10A |
測試條件 | 300V, 10A, 100 Ohm, 15V |
Td(開/關)@ 25°C | 400ns/400ns |
開關能量 | - |
供應商設備封裝 | TO-220SM |
系列 | - |
反向恢復時間(trr) | 200ns |
功率 - 最大 | 60W |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入類型 | Standard |
IGBT類型 | - |
詳細說明 | IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM |
電流 - 集電極脈衝(ICM) | 20A |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 10A |
基礎部件號 | GT10 |