型號 : | FDP090N10 |
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廠家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 24998 pcs |
數據庫 | 1.FDP090N10.pdf2.FDP090N10.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | TO-220-3 |
系列 | PowerTrench® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 9 mOhm @ 75A, 10V |
功率耗散(最大) | 208W (Tc) |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-220-3 |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 6 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 8225pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 116nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 100V |
詳細說明 | N-Channel 100V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 75A (Tc) |