型號 : |
FDMD8900 |
廠家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : |
MOSFET 2N-CH 30V POWER |
RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
可用庫存 |
31229 pcs |
數據庫 |
FDMD8900.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 |
2.5V @ 250µA |
供應商設備封裝 |
12-Power3.3x5 |
系列 |
- |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 |
4 mOhm @ 19A, 10V |
功率 - 最大 |
2.1W |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 |
12-PowerWDFN |
其他名稱 |
FDMD8900TR |
工作溫度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 |
Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) |
1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 |
39 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds |
2605pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs |
35nC @ 10V |
FET型 |
2 N-Channel (Dual) |
FET特點 |
Standard |
漏極至源極電壓(Vdss) |
30V |
詳細說明 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5 |
電流 - 25°C連續排水(Id) |
19A, 17A |