型號 : | EPC2100ENG |
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廠家/品牌 : | EPC |
描述 : | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 5630 pcs |
數據庫 | EPC2100ENG.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
供應商設備封裝 | Die |
系列 | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
功率 - 最大 | - |
封装 | Tray |
封裝/箱體 | Die |
其他名稱 | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
FET型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特點 | GaNFET (Gallium Nitride) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 10A (Ta), 40A (Ta) |