| 型號 : |
EPC2012CENGR |
| 廠家/品牌 : |
EPC |
| 描述 : |
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
| 可用庫存 |
30059 pcs |
| 數據庫 |
EPC2012CENGR.pdf |
| 電壓 - 測試 |
100pF @ 100V |
| 電壓 - 擊穿 |
Die Outline (4-Solder Bar) |
| VGS（TH）（最大）@標識 |
100 mOhm @ 3A, 5V |
| 技術 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| 系列 |
eGaN® |
| RoHS狀態 |
Tape & Reel (TR) |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 |
5A (Ta) |
| 極化 |
Die |
| 其他名稱 |
917-EPC2012CENGRTR |
| 工作溫度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 |
Surface Mount |
| 濕度敏感度（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 製造商零件編號 |
EPC2012CENGR |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds |
1nC @ 5V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs |
2.5V @ 1mA |
| FET特點 |
N-Channel |
| 展開說明 |
N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） |
- |
| 描述 |
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| 電流 - 25°C連續排水（Id） |
200V |
| 電容比 |
- |
EPC
