| 型號 : | EMH9T2R |
|---|---|
| 廠家/品牌 : | LAPIS Semiconductor |
| 描述 : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 |
| RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
| 可用庫存 | 309559 pcs |
| 數據庫 | 1.EMH9T2R.pdf2.EMH9T2R.pdf |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） | 50V |
| Vce飽和（最大）@ IB，IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 晶體管類型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 供應商設備封裝 | EMT6 |
| 系列 | - |
| 電阻器 - 發射器底座（R2） | 47 kOhms |
| 電阻器 - 基座（R1） | 10 kOhms |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體 | SOT-563, SOT-666 |
| 其他名稱 | EMH9T2R-ND EMH9T2RTR |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期 | 10 Weeks |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
| 頻率 - 轉換 | 250MHz |
| 詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| 直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| 電流 - 集電極截止（最大） | 500nA |
| 電流 - 集電極（Ic）（最大） | 100mA |
| 基礎部件號 | *MH9 |
LAPIS Semiconductor
