型號 : |
DMN1019USN-13 |
廠家/品牌 : |
Diodes Incorporated |
描述 : |
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 |
RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
可用庫存 |
322015 pcs |
數據庫 |
DMN1019USN-13.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 |
800mV @ 250µA |
Vgs(最大) |
±8V |
技術 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 |
SC-59 |
系列 |
- |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 |
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
功率耗散(最大) |
680mW (Ta) |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱 |
DMN1019USN-13DITR |
工作溫度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 |
Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) |
1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 |
32 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds |
2426pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs |
50.6nC @ 8V |
FET型 |
N-Channel |
FET特點 |
- |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) |
1.2V, 2.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) |
12V |
詳細說明 |
N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59 |
電流 - 25°C連續排水(Id) |
9.3A (Ta) |