| 型號 : | DMG6601LVT-7 |
|---|---|
| 廠家/品牌 : | Diodes Incorporated |
| 描述 : | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
| RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
| 可用庫存 | 394246 pcs |
| 數據庫 | DMG6601LVT-7.pdf |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 1.5V @ 250µA |
| 供應商設備封裝 | TSOT-26 |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| 功率 - 最大 | 850mW |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 其他名稱 | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期 | 32 Weeks |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 422pF @ 15V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| FET特點 | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 詳細說明 | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 |
| 電流 - 25°C連續排水（Id） | 3.8A, 2.5A |
| 基礎部件號 | DMG6601 |
Diodes Incorporated
