| 型號 : | APTM120U10DAG |
|---|---|
| 廠家/品牌 : | Microsemi |
| 描述 : | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
| RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
| 可用庫存 | 4483 pcs |
| 數據庫 | 1.APTM120U10DAG.pdf2.APTM120U10DAG.pdf |
| VGS（TH）（最大）@標識 | 5V @ 20mA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝 | SP6 |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓 | 120 mOhm @ 58A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 3290W (Tc) |
| 封装 | Bulk |
| 封裝/箱體 | SP6 |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds | 28900pF @ 25V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs | 1100nC @ 10V |
| FET型 | N-Channel |
| FET特點 | - |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開） | 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 1200V |
| 詳細說明 | N-Channel 1200V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| 電流 - 25°C連續排水（Id） | 160A (Tc) |
