型號 : | ALD212900PAL |
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廠家/品牌 : | Advanced Linear Devices, Inc. |
描述 : | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
RoHs狀態 : | 無鉛/符合RoHS |
可用庫存 | 20116 pcs |
數據庫 | ALD212900PAL.pdf |
VGS(TH)(最大)@標識 | 20mV @ 20µA |
供應商設備封裝 | 8-PDIP |
系列 | EPAD®, Zero Threshold™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 14 Ohm |
功率 - 最大 | 500mW |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
其他名稱 | 1014-1212 |
工作溫度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 8 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 30pF @ 5V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | - |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 10.6V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 80mA |