| 型號 : |
2SK3666-3-TB-E |
| 廠家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 : |
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| RoHs狀態 : |
無鉛/符合RoHS |
| 可用庫存 |
301721 pcs |
| 數據庫 |
2SK3666-3-TB-E.pdf |
| 電壓 - 截止（VGS關閉）@標識 |
180mV @ 1µA |
| 供應商設備封裝 |
3-CP |
| 系列 |
- |
| 電阻 - RDS（ON） |
200 Ohms |
| 功率 - 最大 |
200mW |
| 封装 |
Cut Tape (CT) |
| 封裝/箱體 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名稱 |
869-1107-1 |
| 工作溫度 |
150°C (TJ) |
| 安裝類型 |
Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期 |
4 Weeks |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds |
4pF @ 10V |
| FET型 |
N-Channel |
| 漏極至源極電壓（Vdss） |
30V |
| 詳細說明 |
JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| 漏極電流（ID） - 最大 |
10mA |
| 電流 - 漏極（範圍Idss）@ Vds的（VGS = 0） |
1.2mA @ 10V |
| 基礎部件號 |
2SK3666 |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
